Descrição

Consiste em um LED emissor de IR e um fototransistor. Permite fácil adaptação em PCI ou
qualquer outra superficie, pois o cabeçote possui travas que facilitam sua instalação.

CARACTERÍSTICAS

• Distância de sensibilidade: 12mm
• Comprimento de onda: 950 mm
• Altura do cabeçote: 7 mm
• Metódo de funcionamento: Reflexão
• Tensão inversa: 5V
• Corrente de trabalho: 60mA
• Potência do emissor: 100mW
• Tensão de coletor a emissor: 70V
• Tensão de emissor a coletor: 5V
• Corrente de coletor: 100mA
• Detector Power Dissipation: 100mW
• Potência total: 200mW
• Temperatura de operação: -25°C ~ +85°C

°C